Samsung is expected to more than double output of its HBM4 and HBM4E DRAM
Samsung Electronics планирует более чем удвоить выпуск чипов HBM4 и HBM4E в следующем году, включая шестое и седьмое поколения высокопроизводительной памяти. Для этого компания увеличит потребление стеклянных носителей — временных подложек, предотвращающих деформацию тонких кремниевых пластин при шлифовке и сверлении — с 20 000 до 50 000 листов в месяц, что в 2,5 раза больше текущего уровня. Рост спроса на эти компоненты напрямую связан с планами наращивания производства стекированной памяти с 12 и более слоями кристаллов.
Уже в феврале начались массовые поставки HBM4 на 10-нм техпроцессе (1c) с базовым кристаллом на 4 нм, а в мае Samsung предоставил образцы HBM4E клиентам, включая Nvidia. Ожидается, что общее производство HBM вырастет на 40% до ~250 000 пластин в год за счёт увеличения среднемесячного ввода с 180 000. Доля HBM4 и HBM4E в структуре поставок вырастет с ~40% до ~80%, что подтверждает стратегический фокус на высокодоходных продуктах. Аналитики связывают рост объёма стеклянных носителей с вероятным удвоением выпуска чипов нового поколения.